[发明专利]硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术无效
| 申请号： | 200410054828.1 | 申请日： | 2004-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1725445A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 冯玉春;郭宝平;牛憨笨;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/316;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518060广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种硅单晶衬底上生长III族氮化物半导体单晶材料的新技术，该技术在外延生长III族氮化物半导体材料前须先生长两层缓冲层和一渐变层，缓冲层2是SiO2薄膜，缓冲层3为AlN薄膜；渐变层4为高温生长的偏离化学计量比的富GaGaN。双缓冲层和渐变层结构将减少硅单晶衬底和III族氮化物半导体材料因热膨胀系数相差太大造成III族氮化物半导体单晶材料的龟裂，和因晶格失配而产生的高缺陷密度；从而提高III族氮化物半导体材料的晶体质量，改善外延III族氮化物半导体材料的光电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 氮化物 半导体 外延 生长 技术 | ||
【主权项】：
1.硅单晶衬底上外延生长III族氮化物半导体单晶材料的新方法，其特征是III族氮化物半导体材料5与硅衬底1间有SiO2缓冲层2和AlN缓冲层3以及GaN组份渐变层4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
