[发明专利]一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法无效
| 申请号： | 200410054894.9 | 申请日： | 2004-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1727522A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李国辉;苏根博;薛丽平;李征东;庄欣欣;贺友平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B7/08 | 分类号： | C30B7/08;C30B29/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法，尤其是涉及大口径磷酸二氢钾单晶体的快速生长法。采用溶液降温法，在晶体生长槽中添加剂氯化钾的用量为1－5M％，添加剂EDTA的最佳用量为0.01－0.02wt％；初始过饱和度最大达到8℃，生长至室温；一般初始生长阶段每天降温量0.3～0.5℃，随着晶体的快速长大，每天降温量增至2℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 口径 磷酸 二氢钾 单晶体 速生 长法 | ||
【主权项】：
1.一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法，为溶液降温法，其特征在于：(1)在晶体生长槽中添加剂氯化钾的用量为1-5M％，添加剂EDTA的最佳用量为0.01-0.02wt％；(2)初始过饱和度最大达到8℃，生长至室温；(3)一般初始生长阶段每天降温量0.3～0.5℃，随着晶体的快速长大，每天降温量增至2℃。
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