[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410054930.1 | 申请日： | 2004-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1645607A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 佐藤元伸;泽田丰治;大冢敏志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 经志强;臧建明 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括一层间绝缘膜18，其形成在衬底10上；一熔丝26，其埋置在层间绝缘膜18中以及一覆盖膜30，其形成在层间绝缘膜18上并且其中形成有向下至熔丝26的开口。形成的层间绝缘膜18与开口中的熔丝26的侧壁接触，由此熔丝26由层间绝缘膜18支撑，从而防止图形倒塌和图形散开。可以防止熔丝的大范围散开，并且可以小间距设置熔丝。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：一层间绝缘膜，形成在半导体衬底上；一熔丝，埋置在该层间绝缘膜中；及一覆盖膜，形成在该层间绝缘膜上并具有下至该熔丝的一开口，在该开口中，形成的该层间绝缘膜与该熔丝的侧壁接触。
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