[发明专利]碳纳米管的形成方法无效
| 申请号： | 200410054949.6 | 申请日： | 2004-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1621340A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 朴永俊;崔浚熙 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 贾静环;宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及形成碳纳米管的方法。该方法包括：在基底上沉积电极；在电极上形成聚酰亚胺层，通过刻蚀聚酰亚胺层和电极的表面在电极中形成多个突出部分，在电极表面的突出部分之间形成催化金属层，在催化金属层上形成碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.形成碳纳米管的方法包含：在基底上沉积电极；在电极上形成聚酰亚胺层；通过刻蚀聚酰亚胺层和电极的表面，在电极中形成多个突出部分；在电极表面的突出部分之间形成催化金属层；和在该催化金属层上形成碳纳米管。
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