[发明专利]氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410054958.5 | 申请日： | 2004-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1577904A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 幡俊雄 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物基化合物半导体发光器件，包括在包含包括发光层(4)的氮化物基化合物半导体层的半导体叠层(36)的第一主表面(60)上局部形成的支撑电极(700)。一种制造氮化物基化合物半导体发光器件的方法，包括步骤：通过在衬底上至少局部地堆叠包括发光层(4)的氮化物基化合物半导体层形成半导体叠层(36)；在与所述衬底(1)相对设置的所述半导体叠层(36)的主表面(60)上局部地形成支撑电极(700)；和除去所述衬底(1)。由此，提供了一种具有高外部发光效率、没有晶片破碎和破裂的氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物基化合物半导体发光器件，包括：在具有包括发光层(4、41)的氮化物基化合物半导体层的半导体叠层(36、37)的第一主表面(60)上局部形成的支撑电极(700、770)。
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