[发明专利]激光照射台、激光照射装置以及制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 200410054974.4 | 申请日： | 2002-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1591086A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02B27/10 | 分类号： | G02B27/10;H01L21/324;H01S3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当激光振荡器的输出变得更高，发展用于半导体膜激光退火工艺的更长的线形光束变成必要的。然而，如果线形光束的长度是300－1000mm或更长，那么用于形成线形光束的光学系统的光路长度变得非常长，从而增加了其占地面积尺寸。本发明缩短了光路长度。为了使光学系统的光路长度尽可能地短，并只增加线形光束的长度，可以在线形光束纵向上给半导体膜曲率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 装置 以及 制造 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光照射台，包括：一个表面，在其上放置有被光束照射的物体，其中，所述表面给被光束照射的所述物体提供柱面形曲率。
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