[发明专利]具有箔俘获的激光产生的等离子辐射系统无效

专利信息
申请号: 200410055044.0 申请日: 2004-06-25
公开(公告)号: CN1577097A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: L·P·巴克;V·Y·巴尼内;R·库尔特;F·J·P·舒尔曼斯;Y·V·西德尔尼科夫 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明;梁永
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种辐射系统,在收集器例如法线入射收集器和(等离子)光源之间设置有箔俘获,使得来自光源的辐射两次通过箔俘获。一次在照射到收集器之前,第二次在被收集器反射之后。这个结构在过去认为是不可能的。因为箔俘获包括与来自光源的辐射和被收集器反射的辐射平行的薄片,辐射不被箔俘获遮挡。这样,应用等离子产生的光源的法线入射收集器能够防止不受到来自EUV源的碎片。
搜索关键词: 具有 俘获 激光 产生 等离子 辐射 系统
【主权项】:
1.一种用于提供辐射投射光束的辐射系统(20),包括:- 辐射源(32);- 收集器(22),用于收集来自所述辐射源(32)的辐射;- 污染挡板(24),用于俘获来自所述辐射源(32)的污染粒子,所述箔俘获设置在所述辐射源(32)和所述收集器(22)之间,以使来自所述辐射源(32)的辐射(34)通过,其特征在于,设置所述收集器(22),以致由所述收集器反射的辐射(36)将通过所述污染挡板(24),且其中所述污染挡板包括多个薄片(44;51),其设置在与所述反射辐射(36)的传播方向平行的各个平面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410055044.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top