[发明专利]高纯度烷基镓的制备有效
| 申请号： | 200410055074.1 | 申请日： | 2004-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1572902A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 本间孝之;津寺贵信;西脇宽实;田中秀二 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在其沸点比三烷基镓的沸点至少高10℃的溶剂如均三甲苯或邻二氯苯中，通过卤化镓或烷基镓和三烷基铝反应制备三烷基镓。以高产率得到高纯度的烷基镓。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 烷基 制备 | ||
【主权项】：
1.制备烷基镓的方法，包括使式(1)的化合物和式(2)的化合物反应形成式(3)的烷基镓的步骤， R13-mGaXm-3 (1)其中R1是一价烃基，X是卤素原子，m是0-3的整数， R23Al (2)其中R2是具有1-2个碳原子的烷基， GaR23 (3)其中R2定义如上。其特征在于，用由式(4)表示的沸点比式(3)的烷基镓的沸点至少高10℃的化合物作为溶剂： R3nAr (4)其中R3在各种情况下独立地是氢、甲基、取代或未取代的具有6-16个碳原子的芳基或亲电子取代基，Ar是取代或未取代的具有6-16个碳原子的芳基，n是1-14的整数，前提是当全部R3是甲基时，n是2-6的整数。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
