[发明专利]光感测区及外围电路区相互隔离的主动取像元件有效
申请号: | 200410055108.7 | 申请日: | 2004-08-04 |
公开(公告)号: | CN1731584A | 公开(公告)日: | 2006-02-08 |
发明(设计)人: | 谢志成 | 申请(专利权)人: | 原相科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H01L31/062;H01L31/113;H04N5/335 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马娅佳 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种CMOS影像传感器的主动取像元件,其包含一基底,一光感测区,一外围电路区以及一隔离区。该光感测区以及该外围电路区形成于该基底上,该隔离区形成于该光感测区以及该外围电路区之间,并隔离该光感测区及该外围电路区。该光感测区用来依据接收的光线产生光电流。该外围电路区包含一第一晶体管,其源极连接于一字符线,该第一晶体管用来选择是否输出该光感测区储存的资料,一第二晶体管,其栅极连接于该光感测区,源极连接于该第一晶体管的漏极,漏极连接于一电压源,以及一第三晶体管,其源极连接于该光感测区,漏极连接于该电压源,该第三晶体管用来重置该光感测区。 | ||
搜索关键词: | 光感测区 外围 电路 相互 隔离 主动 元件 | ||
【主权项】:
1.一种光感测区及外围电路区相互隔离的主动取像元件,其特征在于,包含:一基底;一光感测区,形成于该基底上,用来依据接收的光线产生光电流;一外围电路区,形成于该基底上,该外围电路区包含:一第一晶体管,其源极连接于一字符线,该第一晶体管用来选择是否输出该光感测区储存的资料;一第二晶体管,其栅极连接于该光感测区,源极连接于该第一晶体管的漏极,漏极连接于一电压源;以及一第三晶体管,其源极连接于该光感测区,漏极连接于该电压源,该第三晶体管用来重置该光感测区;以及一隔离区(isolation region),形成于该光感测区及该外围电路区之间,并隔离该光感测区及该外围电路区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原相科技股份有限公司,未经原相科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410055108.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:终端提前接收主叫号码的系统及方法
- 下一篇:驱动等离子显示板的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的