[发明专利]具有多个射频源频率的等离子体腔体无效
| 申请号： | 200410055192.2 | 申请日： | 2004-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1619767A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·J·后曼;迪安娜·X·玛;叶洋;杨姜久;史蒂芬·C·雪农;艾力克斯恩德·派克森;斯而多洛斯·派纳购波洛斯;丹尼斯·S·格理玛;高仓惠子 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种处理半导体基板的方法与装置。一种等离子体反应装置具有由数个射频功率来源驱动的电容式电极，且电极电容在所需等离子体密度与射频功率频率上与等离子体的负电容相匹配，以提供一电极等离子体共振支持宽制程窗，以于其中维持等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 射频 频率 等离子 体腔 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体反应装置，适于处理一半导体工件，包括：一反应腔体，其具有一腔壁以及包含用以支承该工件的一工件架；一高架电极，位于该工件架上，该高架电极包括一部份的该腔壁；多数个射频功率产生器，每一该些射频功率产生器于一频率下供应功率至该高架电极；以及一固定阻抗匹配组件，连接于该些射频功率产生器与该高架电极之间；该高架电极具有一电抗，该电抗系于近似每一该些射频功率产生器的频率的一电极-等离子体共振频率下以等离子体形成一共振。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
