[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200410055674.8 | 申请日： | 2004-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1581451A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 小山内润 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了制造稳定工作的高质量P沟道沟槽MOSFET的方法。在制造具有P型栅电极的P沟道沟槽MOSFET的方法中，其中BF2离子注入到多晶硅膜中以及之后进行热处理的工艺多次进行，以便由此形成栅电极，因此可以提供稳定工作的高质量P沟道沟槽MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造P沟道MOSFET的方法，包括：在N型半导体衬底内形成沟槽；在沟槽的内表面上形成栅氧化膜；在半导体衬底上沉积第一多晶硅膜；通过利用离子注入法将BF2离子注入到第一多晶硅膜中，并进行第一次热处理；在第一多晶硅膜上沉积第二多晶硅膜；通过利用离子注入法将BF2离子注入到第二多晶硅膜中，并进行第二次热处理；在第二多晶硅膜上沉积第三多晶硅；以及通过利用离子注入法将BF2离子注入到第三多晶硅膜中，并进行第三次热处理；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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