[发明专利]无孔隙金属互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200410055814.1 | 申请日： | 2004-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1581476A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 安正勋;李孝钟;李京泰;李敬雨;李守根;徐锋锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 孔隙 金属 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属互连结构，包括：设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层图形；在第一层间电介质层和下部金属互连层图形上的金属间电介质层，金属间电介质层具有暴露出下部金属互连层图形的一部分上表面的通路接触孔；在金属间电介质层上的第二层间电介质层，第二层间电介质层具有暴露出一部分通路接触孔的沟槽；在通路接触孔的露出的侧表面和下部金属互连层图形的部分露出上表面上的阻挡金属层；在阻挡金属层上具有第一厚度的第一上部金属互连层图形，第一上部金属互连层图形完全填充通路接触孔并且部分填充第二沟槽；在第一上部金属互连层图形上的空隙扩散阻挡层；以及在空隙扩散阻挡层上完全填充沟槽的第二上部金属互连层图形。
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