[发明专利]用于抛光半导体层的组合物有效
| 申请号： | 200410055841.9 | 申请日： | 2004-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1609156A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 刘振东;J·曲安慈 | 申请（专利权）人： | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
| 主分类号： | C09G1/04 | 分类号： | C09G1/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 包含用于限制互连金属去除的腐蚀抑制剂且具有酸性pH的水性抛光组合物。该组合物包含与构成的包含有机物的铵盐，R1，R2，R3和R4是原子团，R1具有2至15个碳原子的碳链长度。该包含有机物的铵盐具有一定浓度，该浓度可加速TEOS的去除而减少至少一种选自SiC，SiCN，Si3N4和SiCO的覆层的去除。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 半导体 组合 | ||
【主权项】：
1.水性抛光组合物，包含：用于限制互连金属的去除的腐蚀抑制剂；具有酸性pH；且包含与![]()
构成的包含有机物的铵盐，R1，R2，R3和R4是原子团，R1具有2至15个碳原子的碳链长度且该包含有机物的铵盐具有一定浓度，在使用至少一种小于21.7kPa的抛光压力的情况下，该浓度能加速TEOS的去除并减少至少一种选自SiC，SiCN，Si3N4和SiCO的覆层的去除。
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