[发明专利]双面蚀刻晶片的方法无效
| 申请号： | 200410055871.X | 申请日： | 2004-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1731287A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 杨辰雄 | 申请（专利权）人： | 探微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双面蚀刻晶片的方法，首先，提供一晶片，该晶片包括至少一旋转轴区与至少二穿透区，且该二穿透区位于该旋转轴区的二侧。接着由该晶片的一底表面去除部分位于该旋转轴区的该晶片。随后将该晶片的底表面利用一粘着层粘贴于一负载载具上，并由该晶片的上表面去除位于该二穿透区的该晶片直至穿透该晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 蚀刻 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双面蚀刻晶片的方法，其包括：提供一晶片，该晶片包括至少一第一区域与至少一第二区域，该第一区域之面积小于该第二区域之面积，且该第二区域部分重叠于该第一区域；进行一第一光刻腐蚀制造工艺，由该晶片的一第一表面去除位于该第一区域的该晶片至一预定深度；将该晶片的该第一表面贴附于一负载载具上；进行一第二光刻腐蚀制造工艺，由该晶片的一第二表面去除位于该第二区域但不包含位于该第一区域的该晶片直至蚀穿该晶片。
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