[发明专利]顶部发光型有源矩阵场致发光设备及其制造方法有效
| 申请号： | 200410055891.7 | 申请日： | 2004-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1582078A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 金洪奎 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/26 | 分类号： | H05B33/26;H05B33/20;H05B33/12;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;袁炳泽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种顶部发光型有源矩阵场致发光设备和制造该设备的方法，其中当形成像素电极时，在像素区域的外部区域中形成反共用电极，以便同时增强该设备的发射效率和电气功能。在此，尽管共用电极形成为薄层，反共用电极也电连接共用电极，由此防止共用电极的过载和短路。 | ||
| 搜索关键词： | 顶部 发光 有源 矩阵 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵场致发光设备，包括：基片，其包含薄膜晶体管和在基片上规定的像素区域；在基片和薄膜晶体管上形成的绝缘层；在像素区域的绝缘层上形成的第一电极；在第一电极之间的绝缘层上形成的第二电极；在每个第一电极上形成的发射层；和在发射层上形成并电连接第二电极的第三电极。
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