[发明专利]布线及其制造方法、包括所说布线的半导体器件及干法腐蚀方法有效
| 申请号： | 200410056020.7 | 申请日： | 2000-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1567078A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 须泽英臣;小野幸治 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 及其 制造 方法 包括 所说 半导体器件 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种制造显示器件的方法，所述方法包括以下步骤：在基片上形成半导体层，在所述半导体层上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成金属薄膜；和通过ICP腐蚀对所述金属薄膜构图以形成栅电极，使得该栅电极的侧表面成锥形。
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