[发明专利]喷头、薄膜制造装置以及制造方法有效
申请号: | 200410056309.9 | 申请日: | 2004-08-06 |
公开(公告)号: | CN1584109A | 公开(公告)日: | 2005-02-23 |
发明(设计)人: | 山田贵一;增田健;梶沼雅彦;西冈浩;植松正纪;邹红罡 | 申请(专利权)人: | 爱发科股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种可在生产性、批量生产性上优异的薄膜制造装置以及制造方法,该薄膜制造装置再现根据成膜条件可进行温度控制的喷头、良好的膜厚分布、组成分布、成膜速率,同时,可长期稳定地进行粒子数少的连续成膜。其构成为,将喷头构造组装到成膜槽的上盖,通过在上盖上设置热交换装置,对上盖进行温度控制,在构成喷头表面的喷淋板和上盖的接触面上进行热交换,根据成膜条件,可对喷头进行温度控制。是在成膜槽上具有该喷头的薄膜制造装置,使用该装置制造薄膜。 | ||
搜索关键词: | 喷头 薄膜 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种喷头,是从可进行真空控制的成膜槽的上部,通过喷头将成膜气体导入槽内的上部空间,在基板上成膜的薄膜制造装置的喷头,其特征在于,其构成为,喷头构造组装于成膜槽的上盖,通过在上盖上设置热交换装置,对上盖进行温度控制,在构成喷头表面的圆盘状的喷淋板与该上盖的接触面上进行热交换,根据成膜条件,可对喷头进行温度控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱发科股份有限公司,未经爱发科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410056309.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:传送系统
- 下一篇:存储器管理系统以及在多任务系统中的任务控制器
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的