[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410056355.9 | 申请日： | 2004-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1581526A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 中山久志;上田哲三;油利正昭;泷泽俊幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/09;H01S5/00;H01L29/778;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具有形成在蓝宝石基板(101)上的由第1半导体层构成的有源层(活性层)(105)，在有源层(活性层)(105)上，形成由氧化层构成的第1氧化区域。根据本发明的半导体装置，可以提高半导体装置的元件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有形成在基板上的由第1半导体层构成的有源层，其特征在于，在上述有源层上，形成由氧化层构成的第1氧化区域。
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