[发明专利]固态图像传感器件及其制造方法无效
申请号: | 200410056500.3 | 申请日: | 2004-08-11 |
公开(公告)号: | CN1581498A | 公开(公告)日: | 2005-02-16 |
发明(设计)人: | 国分胜则;佐藤充 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 郭定辉;黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 构造一种固态图像传感器件,其中在光接收传感器部分一端提供电荷转移部分,电荷转移部分由多层电荷转移电极2A、2B组成,并且在多层电荷转移电极的各层电荷转移电极2A、2B的侧表面上形成的侧壁绝缘层11、8。一种形成上述固态图像传感器件的制造方法,包含用于形成电荷转移电极2A、2B的过程和用于在整个表面上形成绝缘薄膜,并且通过在这种绝缘薄膜上实现回蚀刻处理,在各层电荷转移电极2A、2B的侧表面上形成侧壁绝缘层11、8的过程。提供所述固态图像传感器件和这种固态图像传感器件的制造方法是可能的,该固态图像传感器件具有这种结构:电荷转移电极由于当隔层绝缘体在电荷转移电极上被形成时所引起的氧化作用而引起的尺寸减小能够被抑制,并且所述固态图像传感器件的像素数目能够增加,所述固态图像传感器件的密度能够增大。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种固态图像传感器件,包含:光接收传感器部分;在所述光接收部分一端提供的电荷转移部分;构成所述电荷转移部分的多层电荷转移电极;和在所述多层电荷转移电极的各层电荷转移电极的侧表面上形成的侧壁绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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