[发明专利]铅酸电池及其制造方法无效
申请号: | 200410056511.1 | 申请日: | 2004-08-06 |
公开(公告)号: | CN1731606A | 公开(公告)日: | 2006-02-08 |
发明(设计)人: | 船户贵之 | 申请(专利权)人: | 日本电池株式会社 |
主分类号: | H01M4/73 | 分类号: | H01M4/73;H01M4/68;H01M4/14;H01M10/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;郭国清 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的铅酸电池的特征之一是,一种铅酸电池,具备有栅肋的正极栅体和正极活性物质的正极板,负极板,配置在前述正极板和前述负极板之间的隔板,和电解液,被收纳在电槽内。前述正极栅体具有含Ca的Pb合金,在前述栅肋的至少一个面上,具有Sb含有层,前述Sb含有层内的Sb的浓度不小于前述正极栅体全体的Sb的平均浓度的10倍,前述Sb含有层中至少在其一部分的接触平面,对于前述正极栅体形成的平面成0°以上90°以下的角度倾斜。还有本发明的铅酸电池的特征之一是,一种铅酸电池,具备有栅肋的正极栅体和正极活性物质的正极板,负极板,配置在前述正极板和前述负极板之间的隔板,和电解液,被收纳在电槽内。前述正极栅体具有含Ca的Pb合金,在前述栅肋的至少一个面上,具有Sn含有层,前述Sn含有层内的Sn的浓度不小于前述正极栅体全体的Sn的平均浓度的1.5倍,前述Sn含有层中至少在其一部分的接触平面,对于前述正极栅体形成的平面成0°以上90°以下的角度倾斜。 | ||
搜索关键词: | 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种铅酸电池,具备有栅肋的正极栅体和正极活性物质的正极板,负极板,配置在前述正极板和前述负极板之间的隔板,和电解液,被收纳在电槽内,其特征是:前述正极栅体具备有含Ca的Pb合金;前述栅肋的至少一个面上,具备有Sb含有层,其Sb的浓度不小于前述正极栅体整体的Sb的平均浓度的10倍;在前述Sb含有层的至少一部分的接触平面,相对于前述正极栅体形成的平面成0°以上的角度倾斜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电池株式会社,未经日本电池株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410056511.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。