[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200410056518.3 | 申请日： | 2004-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1581479A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 上田岳洋 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/10;H01L27/04;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过板围绕熔丝的待熔化部分，以便在电流提供时将熔丝的熔化部分中产生的热量可以限制或积累在熔丝的熔化部分附近。这些使之可以便于熔丝的熔化。熔丝的熔化部分为折叠型，而不是直线型构成的熔丝的那种单个直线形状，更成功地易于将电流提供时在熔丝中产生的热量集中到熔化部分中，以及进一步促进熔丝的熔化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；在提供有电流时可以断开的导体；以及在导体附近的由平行于电流方向的平整表面组成的至少一个平行板。
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