[发明专利]硅晶圆及其制造方法

摘要

本发明涉及一种制造单晶硅晶圆的方法，该方法包括下列步骤：通过外延沉积法在硅晶圆的正面上制造一薄层，或在该硅晶圆的正面上制造一薄层，其电阻与该硅晶圆其余部分的电阻不同，或在该硅晶圆的背面上制造一外杂质吸收剂层，及在选定满足上列不等式的温度下将该硅晶圆施以热处理，其中，[Oi]是硅晶圆内的氧浓度，[Oi] ^eq (T)是在T温度下硅内氧的溶解度极限，δ_SiO2是二氧化硅的表面能，Ω是沉积氧原子的体积，r是平均COP半径，及k是波兹曼常数，在实施热处理期间，至少该硅晶圆有时是曝露于含氧气体中。本发明还涉及一硅晶圆，该晶圆的正面或背面上载有上述的一种层且实质上无空位集块(COP)。

主权项

1、一种制造单晶硅晶圆的方法，该方法包括下列步骤：通过外延沉积法，在硅晶圆的正面上制造一薄层，或在该硅晶圆的正面上制造一薄层，其电阻与该硅晶圆其余部分的电阴不同，或于该硅晶圆的背面上制造一外杂质吸收剂层，及在所选满足下列不等式的温度下将该晶圆施以热处理$\left[\mathrm{Oi}\right]<{\left[\mathrm{Oi}\right]}^{\mathrm{eq}}\left(T\right)\exp \left(\frac{{2\sigma }_{\mathrm{SiO}2}\Omega }{\mathrm{rkT}}\right)---\left(1\right)$ 其中，[Oi]是硅晶圆内的氧浓度，[Oi]eq(T)是在T温度下硅内氧的溶解度极限，δsio2是二氧化硅的表面能，Ω是沉积氧原子的体积，r是平均COP半径及k是波兹曼常数，在实施热处理期间，至少部分时间该硅晶圆是曝露于含氧气体中。