[发明专利]用于RRAM的旋转涂布Pr1－xCaxMnO3薄膜的高温退火

摘要

形成用于RRAM的、具有双极电脉冲切换特性的PCMO薄膜。本发明的在RRAM器件上形成PCMO薄膜的方法包括：在衬底上的金属隔离层上形成底部电极；利用PCMO前体，在底部电极上旋转涂布Pr_1－xCa_xMnO₃层；在1道或以上的焙烤工序中焙烤该PCMO薄膜；在各旋转涂布工序之后，在第1退火工序中退火该PCMO薄膜；反复进行旋转涂布工序、焙烤工序及第1退火工序，直到使该PCMO薄膜达到期望的厚度；在第2退火工序中退火该PCMO薄膜，由此生成具有0.2≤X≤0.5的、Pr_1－xCa_xMnO₃结晶构造的PCMO薄膜。

主权项

1.一种在RRAM器件上形成PCMO薄膜的方法，该方法包括：准备衬底；在该衬底上堆积金属隔离层；在该金属隔离层上形成底部电极；在醋酸溶剂中利用由Pr(CH3CO2)3·H2O、Ca(CH3CO2)2·H2O及Mn(III)(CH3CO2)3·2H2O构成的PCMO前体，在该底部电极上旋转涂布Pr1-XCaXMnO3(PCMO)层；在包括在约50℃～300℃的温度下约10秒～1小时焙烤的至少1道焙烤工序中，焙烤该PCMO薄膜；在各旋转涂布工序之后，在约400℃～900℃温度下的约10秒～1小时的第1退火工序中，退火该PCMO薄膜；反复进行该旋转涂布工序、该至少1道的焙烤工序及该第1退火工序，直到使该PCMO薄膜达到期望的厚度；在约450℃～1000℃温度下的约1分钟～24小时的第2退火工序中，退火该PCMO薄膜，由此生成具有0.2≤X≤0.5的、Pr1-XCaXMnO3结晶构造的PCMO薄膜；堆积顶部电极；使该顶部电极形成图案；完成该RRAM器件。