[发明专利]磁隧道结及包括它的存储器件有效
申请号: | 200410056683.9 | 申请日: | 2004-08-12 |
公开(公告)号: | CN1591673A | 公开(公告)日: | 2005-03-09 |
发明(设计)人: | 河永寄;李将银;吴世忠;裵晙洙;金炫助;白寅圭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。 | ||
搜索关键词: | 隧道 包括 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种磁隧道结器件,具有一磁可编程自由磁性层,所述自由磁性层包括至少三个材料层的叠层,其中,所述至少三个材料层包括至少两种不同材料的交替叠置层。
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