[发明专利]具有碳纳米管发射极的场发射显示器及其制造方法无效
| 申请号： | 200410056695.1 | 申请日： | 2004-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1581416A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 崔濬熙;安德烈·朱尔卡尼夫 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J31/12 | 分类号： | H01J31/12;H01J29/02;H01J9/04;H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种含有碳纳米管发射极的场发射显示器(FED)及其制造方法。围绕CNT发射极的栅极叠层包括覆盖邻近CNT发射极的发射极电极的掩模层，以及形成在掩模层上的栅极绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和聚焦栅电极。第一氧化硅膜的厚度为2μm或更大，并且优选3～15μm。用于形成第一氧化硅膜和/或栅极绝缘膜的硅烷和硝酸的流速分别保持在50～700scmm和700～4,500sccm。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 发射极 发射 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碳纳米管场发射显示器、即CNT FED，包括：一玻璃基板；形成在所述玻璃基板上的一透明电极；形成在所述透明电极上的一发射极电极；形成在所述发射极电极上的一CNT发射极；从所述CNT发射极中引出电子束、使引出的电子束聚焦到一预定靶上并且形成在所述CNT发射极的周围区域上的一栅极叠层；形成在所述栅极叠层上方并且在其上显示信息的一前面板；以及形成在所述前面板的背部表面上的一荧光膜，其中所述栅极叠层包括：覆盖所述发射极电极的一掩模层；以及依序堆叠在所述掩模层上的一栅极绝缘膜、一栅电极、一第一氧化硅膜SiOx和一聚焦栅电极，其中X＜2。
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