[发明专利]一种制备块体纳米晶/非晶合金的新方法无效
| 申请号： | 200410056890.4 | 申请日： | 2004-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1598034A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 姚可夫 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C22F1/00 | 分类号： | C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于金属纳米材料制备技术范围的一种制备块体纳米晶/非晶合金的方法。采用固体电容充放电的直流脉冲电源，针对块体非晶合金的特征，选择电流密度范围：j＝100～10000A/mm2；处理时间2秒～60分钟；电流脉冲宽度范围：μ＝10～200μs；电流脉冲频率范围：f＝2～5000Hz。以保证既能晶化获得纳米晶粒，又不至于过热导致晶粒长大为准，利用电流和金属原子的交互作用，促进原子扩散迁移，促进晶核生成和纳米相析出。因此既能促进晶核均匀生成，又抑制晶粒长大，得到的纳米相尺寸均匀，晶化组织均匀的块体纳米晶/非晶合金材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 块体 纳米 合金 新方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备块体纳米晶/非晶合金的方法，其特征在于：该方法的处理工艺为：1)采用固体电容充放电的直流脉冲电源，提供实现晶化的大于103A高峰脉冲电流值；2)针对块体非晶合金的特征，选择电流密度范围：j＝100～10000A/mm2；3)处理时间以保证既能晶化获得纳米晶粒，又不至于过热导致晶粒长大为准，处理时间范围：2秒～60分钟；4)电流脉冲宽度范围：μ＝10～200μs；5)电流脉冲频率范围：f＝2～5000Hz。
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