[发明专利]一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法

摘要

一种磷化铟基量子级联半导体激光器，包括：一N型磷化铟衬底；一N型铟镓砷下波导层，该下波导层制作在N型磷化铟衬底上；一35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源区，该有源区制作在下波导层上；一N型铟镓砷上波导层，该上波导层制作在有源区上；一N型磷化铟上包层，该上包层制作在上波导层上；一N型磷化铟接触层，该接触层制作在上包层上；一N型铟镓砷欧姆接触层，该欧姆接触层制作在N型磷化铟接触层上；经刻蚀在表面形成双沟脊形台面，在该双沟脊形台面制作有绝缘层，该绝缘层之间断开形成电流注入窗口；一正面N型电极，该正面N型电极制作在绝缘层上；一背面N型电极，该背面N型电极制作在N型磷化铟衬底上。

主权项

1、一种磷化铟基量子级联半导体激光器，其特征在于，其中包括：一N型磷化铟衬底，作为下包层；一N型铟镓砷下波导层，该下波导层制作在N型磷化铟衬底上，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；一35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源区，该有源区制作在下波导层上，作为发光区；一N型铟镓砷上波导层，该上波导层制作在有源区上，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；一N型磷化铟上包层，该上包层制作在上波导层上；一N型磷化铟接触层，该接触层制作在上包层上；一N型铟镓砷欧姆接触层，该欧姆接触层制作在N型磷化铟接触层上；经刻蚀在表面形成双沟脊形台面，在该双沟脊形台面制作有绝缘层，该绝缘层之间断开形成电流注入窗口；一正面N型电极，该正面N型电极制作在绝缘层上；一背面N型电极，该背面N型电极制作在N型磷化铟衬底上。