[发明专利]减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置有效
申请号: | 200410057032.1 | 申请日: | 2004-08-25 |
公开(公告)号: | CN1591777A | 公开(公告)日: | 2005-03-09 |
发明(设计)人: | 守屋刚;长池宏史;中山博之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散,清洁部件,采用将电压加在部件上,利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法;使微颗粒带电,利用库仑力飞散的方法,将气体导入减压处理室中,使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件,使微颗粒飞散的方法;使部件温度上升,利用热应力和热泳动力,使微颗粒飞散的方法;或将机械振动给与部件,使微颗粒飞散的方法。另外,使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。 | ||
搜索关键词: | 减压 处理 室内 部件 清洁 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种部件清洁方法,使附着在减压处理室的部件上的微颗粒飞散,其特征为,将电压加在所述部件上,根据所述部件的介电常数和所述微颗粒的介电常数之差,使附着在所述部件上的微颗粒飞散。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410057032.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造