[发明专利]蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法无效
| 申请号： | 200410057150.2 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1741290A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 郭伦春;王晓亮;王军喜;肖红领;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种蓝光、黄光量子阱堆叠结构的白光发光二极管，包括：一蓝宝石衬底、或氮化镓衬底、或碳化硅衬底、或硅衬底；一缓冲层制作在衬底上；一N型氮化镓外延层制作在缓冲层上；一N型掺杂的AlaInbGa1－a－bN四元合金制作在N型氮化镓外延层上；一InxGa1－xN/AlaInbGa1－a－bN蓝光量子阱层生长制作在N型AlaInbGa1－a－bN层上；一InyGa1－yN/AlaInbGa1－a－bN黄光量子阱层生长制作在InyGa1－yN/AlaInbGa1－a－bN蓝光量子阱上；或在N型AlaInbGa1－a－bN层上先生长InyGa1－yN/AlaInbGa1－a－bN黄光量子阱，然后再在InyGa1－yN/AlaInbGa1－a－bN黄光量子阱上生长InxGa1－xN/AlaInbGa1－a－bN蓝光量子阱；生长P型Al0.1Ga0.9N和P型GaN盖帽层。 | ||
| 搜索关键词： | 光量子 堆叠 结构 白光 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种蓝光、黄光量子阱堆叠结构的白光发光二极管，其特征在于：其中包括：一蓝宝石衬底、或氮化镓衬底、或碳化硅衬底、或硅衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一N型氮化镓外延层，该N型氮化镓外延层制作在缓冲层上；一N型掺杂的AlaInbGa1-a-bN四元合金，该四元合金制作在N型氮化镓外延层上；一InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN蓝光量子阱层，该InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN蓝光量子阱生长制作在N型AlaInbGa1-a-bN层上；一InyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN黄光量子阱层，该InyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN黄光量子阱生长制作在InyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN蓝光量子阱上；或在N型AlaInbGa1-a-bN层上先生长InyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN黄光量子阱，然后再在InyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN黄光量子阱上生长InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN蓝光量子阱；生长P型Al0.1Ga0.9N和P型GaN盖帽层。
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