[发明专利]薄膜晶体管的串联结构及其制作方法

摘要

一种薄膜晶体管的串联结构，N型薄膜晶体管区域与P型薄膜晶体管区域共享一个有效层，且于N型薄膜晶体管与P型薄膜晶体管的N/P接面上制作一个接触洞，则经由接触洞内的导电层的桥接，可使一端N型掺杂区域的导电载子电连接至另一端的P型掺杂区域，且不会通过此N/P接面所形成的空乏区。而且，N型薄膜晶体管区域或P型薄膜晶体管区域是利用栅极绝缘层的暴露于栅极层两侧的遮蔽区域作为离子布植制程的掩膜，则可同时达成轻掺杂漏极区域以及源/漏极区域的制作。

主权项

1.一种薄膜晶体管的串联结构，包括有：一基底，其包含有一第一导电型薄膜晶体管区域以及一第二导电型薄膜晶体管区域；一有效层，是形成于该基底上，且包含有：一第一沟道区域，是形成于该第一导电型薄膜晶体管区域内；一第一导电型的轻掺杂区域，是形成于该第一导电型薄膜晶体管区域内，且形成于该第一沟道区域的两侧；一第一导电型的重掺杂区域，是形成于该第一导电型薄膜晶体管区域内，且形成于该第一导电型的轻掺杂区域的两侧；一第二沟道区域，是形成于该第二导电型薄膜晶体管区域内；以及一第二导电型的重掺杂区域，是形成于该第二导电型薄膜晶体管区域内，且形成于该第二沟道区域的两侧；以及其中，两相邻的该第一导电型的重掺杂区域与该第二导电型的重掺杂区域的接面处形成一空乏区；一第一栅极绝缘层，是形成于该第一导电型薄膜晶体管区域内的该有效层上，且包含有：一中央区域，是覆盖该有效层的第一沟道区域；以及一遮蔽区域，是覆盖该有效层的该第一导电型的轻掺杂区域；一第二栅极绝缘层，是形成于该第二导电型薄膜晶体管区域内的该有效层上；一第一栅极层，是形成于该第一栅极绝缘层上，且覆盖该第一栅极绝缘层的中央区域；一第二栅极层，是形成于该第二栅极绝缘层上，且覆盖该第二栅极绝缘层；一层间介电层，是形成于该第一、第二栅极层、该第一、第二栅极绝缘层以及该有效层上，且包含有：一接触洞，是暴露该第一导电型的重掺杂区域以及该第二导电型的重掺杂区域的该接面处；以及一导电层，是形成于该接触洞内，以使该第一导电型的重掺杂区域电性连接至该第二导电型的重掺杂区域。