[发明专利]处理具有倾斜特征的掩模的系统与方法有效
| 申请号： | 200410057194.5 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1648775A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 林本坚;杨平;谢弘璋;辜耀进;林进祥;游秋山 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 揭露一种方法与系统，用以处理在一掩模或倍缩掩模基底上一个或多个倾斜的特征。在将所述掩模或倍缩掩模基底与一预定的参考系统对准之后，决定在所述掩模或倍缩掩模基底上要被处理的一个特征的一个偏移角，所述偏移角是对于所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向而言。所述掩模或倍缩掩模基底在一预定的方向上被旋转所述偏移角度；而且使用所述预定的参考系统处理在所述掩模或倍缩掩模基底上的所述特征，其中所述特征是在所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向上被处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 具有 倾斜 特征 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理在一掩模或倍缩掩模基底上一个或多个倾斜特征的方法，所述方法至少包含：将所述掩模或倍缩掩模基底与一预定的参考系统对准；决定在所述掩模或倍缩掩模基底上要被处理的一个特征的一偏移角，所述偏移角是关于所述预定的参考系统的第一参考方向或垂直于所述第一参考方向的第二参考方向而言；在一预定的方向上将所述掩模或倍缩掩模基底旋转所述偏移角度；以及依据所述预定的参考系统处理在所述掩模或倍缩掩模基底上的所述特征，其中所述特征在所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向上被处理。
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