[发明专利]集成电路元件及其形成方法有效
| 申请号： | 200410057339.1 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1866539A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李文钦;葛崇祜;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L27/105;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路元件及其形成方法。该集成电路元件包含介电质/金属/第二能隙半导体/第一能隙基底结构。为了降低接触电阻，利用具有较低能隙的第二能隙半导体与金属相接触。该第二能隙半导体的能隙低于第一能隙基底的能隙，且低于1.1eV。此外，可以在金属上沉积一个介电层，该介电层具有固有的应力，从而补偿所述金属、第二能隙半导体和第一能隙基底中的应力。本发明提供的集成电路元件及其形成方法，能够降低接触电阻，同时提高集成电路元件的效能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路元件，其特征在于，该集成电路元件包含：一个基底，由具有第一能隙的半导体所构成；一个栅极介电质，位于该基底上；一个栅电极，位于该栅极介电质上；源极和漏极区，位于该栅极介电质两侧的基底中，该源极和漏极区具有至少一个上方部份，该上方部分由具有第二能隙的半导体所构成，且该第二能隙比该第一能隙低；一个金属，位于该源极与漏极区中至少一个的上方部份的上面；一个第一介电层，位于该金属上方；一个第二介电层，位于该第一介电层上方；以及一个导电栓，该导电栓与该金属相接触，且设置于该第一介电层和第二介电层中。
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