[发明专利]间隙层为NiPRe合金的薄膜磁头

摘要

本发明提供一种薄膜磁头，特别通过使作为间隙层使用的NiPRe合金的组成比适当化，可以提高作为间隙层所必需的特性及物性。通过将作为间隙层使用的NiPRe合金的组成比设为由三元图上的边界线A至E包围的范围内，就可以镀膜形成耐化学腐蚀性优良，并且即使经高温加热也能够良好地保持非磁性状态，并且可以抑制与磁极层的界面上的元素扩散的NiPRe合金。

主权项

1.一种薄膜磁头，其特征是，具有设于与记录介质的相对面一侧的磁极部、向所述磁极部导入记录磁场的磁路构成部、用于产生记录磁场的线圈层，所述磁极部至少由间隙层和在其上形成的上部磁极层构成，所述间隙层是由NiPRe合金镀膜形成的，NiPRe合金的组成比处于在图4及图5所示的三元图中由连接a点(Ni∶P∶Re)＝(84质量％∶16质量％∶0质量％)、和b点(Ni∶P∶Re)＝(72质量％∶0质量％∶28质量％)的直线的边界线A(包括边界线A上)、Re的组成比为2质量％的直线的边界线B(包括边界线B上)、Re的组成比为46质量％的直线的边界线C(包括边界线C上)、P的组成比为4质量％的直线的边界线D(包括边界线D上)、P的组成比为18质量％的直线的边界线E(包括边界线E上)所包围的范围内。