[发明专利]固体摄像元件及其控制方法无效
申请号: | 200410057476.5 | 申请日: | 2004-08-12 |
公开(公告)号: | CN1591894A | 公开(公告)日: | 2005-03-09 |
发明(设计)人: | 冈田吉弘 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种不会降低灵敏度、饱和输出,即可抑制暗电流的产生;并且减少利用固体摄像元件的摄像中所获得的信息电荷的干扰的固体摄像元件及其控制方法。本发明的固体摄像元件具备配置在半导体基板表面上的多个转送电极(24),在由转送电极(24)的作用而形成的电势井中存储应答入射在半导体基板的光而产生的信息电荷,该固体摄像元件具有埋设在转送电极(24)附近下方而形成的光电二极管(26)。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 元件 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
1、一种固体摄像元件,其中具备接收外部的光而产生信息电荷的摄像部,所述摄像部形成在半导体基板的表面上,并包括:隔所定间隔以大致均匀的宽度平行配置在所述半导体基板的表面区域上,其表面区域具有同一导电型的多个沟道区域;和在所述半导体基板表面上,沿与所述多个沟道区域交叉的方向互相平行地配置的多个转送电极,在由所述转送电极的作用而形成的电势井中存储应答入射所述半导体基板的光而产生的信息电荷,其特征在于,设置埋设在所述沟道区域而形成、其表面区域具有相反于所述沟道区域的反向导电型的光电二极管;所述光电二极管的所述转送电极的延伸方向的长度要比所述沟道区域的宽度短,在所述转送电极上设置切口区域,以使设有所述光电二极管的部分成为开口部,利用所述转送电极的作用,使信息电荷在所述沟道区域与所述光电二极管之间移动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社,未经三洋电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410057476.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防止吊挂物落下用的单手夹
- 下一篇:发动机中的油盘构件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的