[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 200410057488.8 申请日: 2004-08-13
公开(公告)号: CN1630172A 公开(公告)日: 2005-06-22
发明(设计)人: 折田昭一 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M7/48;H03K17/16
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体器件能防止因在电平移动电路中发生的错误信号导致的错误动作。错误信号检测电路(3)与电平移动电路(2)并联地连接,错误信号检测电路(3)的HVMOS(32)除了在通常使用状态下是被固定为切断状态的虚设的开关元件外,具有与电平移动电路(2)所具有的导通用和切断用的2个电平移动电路同样的结构。将错误信号检测用电阻(31)的电压降作为表示电平移动电路(2)中的错误信号的发生的错误信号发生信号(SD),经NOT门(35)输入到错误动作防止电路(4)中。错误动作防止电路(4)根据错误信号发生信号(SD)来进行规定的防止错误动作用的处理。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,具备:电平移动电路,将第1信号变换为能传递给高电位侧的对象电路的第2信号;错误信号检测电路,检测上述电平移动电路中的错误信号的产生,并输出表示该错误信号的产生的错误信号发生信号;以及错误动作防止电路,接受上述第2信号和上述错误信号发生信号,将上述第2信号传递给上述对象电路,同时在输入了上述错误信号发生信号的期间内,通过将上述第2信号看作错误信号并至少不将其一部分传递给上述对象电路来防止错误动作,其特征在于:上述电平移动电路具有互相串联连接的第1电阻元件和输入上述第1信号的第1开关元件,并且将上述第1电阻元件的电压降作为上述第2信号来输出,上述错误信号检测电路与上述电平移动电路并联连接,具有互相串联连接的第2电阻元件和在通常使用时被固定为非导通状态的第2开关元件,并且将上述第2电阻元件的电压降作为上述错误信号发生信号来输出。
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