[发明专利]QFN封装及其方法无效
申请号: | 200410057520.2 | 申请日: | 2004-08-17 |
公开(公告)号: | CN1738041A | 公开(公告)日: | 2006-02-22 |
发明(设计)人: | 宋复斌;刘艳锋;王志杰 | 申请(专利权)人: | 自由度半导体公司 |
主分类号: | H01L23/50 | 分类号: | H01L23/50;H01L23/28;H01L21/60;H01L21/302 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种包括集成电路(22)的半导体器件(20),且集成电路(22)在其顶面的外围部分上具有多个接合垫(24),在其底面(28)中形成有沟槽(26)。沟槽(26)从IC(22)的一端延伸到相对一端。围绕IC(22)的引线接头(30)通过导线接合与相应接合垫(24)电连接。塑模复合物(34)覆盖IC(22)和引线接头(30)的顶面,以及电连接。除沟槽(26)外,至少暴露引线接头(30)和IC(22)的底面,利用塑模复合物填充沟槽。 | ||
搜索关键词: | qfn 封装 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:集成电路(IC),具有位于其第一表面的外围部分上的多个接合垫,以及在其第二表面中形成的沟槽,沟槽从IC的一端延伸到IC的相对一端;围绕IC的多个引线接头;将IC接合垫与多个引线接头中的相应引线接头连接的多个导线;塑模复合物,其覆盖IC的第一表面,多个导线,和多个引线接头的一部分,其中,至少引线接头的底面和IC的第二表面被暴露,并且利用塑模复合物填充沟槽。
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