[发明专利]包括用于减少泄漏电流的TFT的LCD设备有效
| 申请号： | 200410057654.4 | 申请日： | 2004-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1584718A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 桥本宜明;木村茂;铃木圣二 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过在源极和漏极上的拐角上形成斜面，LCD设备中的非晶硅TFT(薄膜晶体管)在TFT的沟道的两个边缘部分上与沟道的中心部分上相比，具有较大的沟道长度。在两个边缘部分上的较大沟道长度减少了由入射到沟道上的转向光线所导致的泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 用于 减少 泄漏 电流 tft lcd 设备 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示(LCD)设备，包括TFT(薄膜晶体管)衬底，其上放置有多个TFT；反向衬底，其上放置有黑色矩阵；液晶层，夹在所述TFT衬底和所述反向衬底之间；以及背光单元，置于所述TFT衬底的后侧上，用于利用背光来照射所述TFT衬底，每一个所述TFT在半导体层中都具有沟道，所述沟道在所述沟道的边缘部分所具有的沟道长度大于它在中心部分的长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NEC液晶技术株式会社，未经NEC液晶技术株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410057654.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有可分离操作单元的电子设备
- 下一篇：涡轮机元件的修理
