[发明专利]非晶质硅膜的结晶方法有效
| 申请号： | 200410057765.5 | 申请日： | 2004-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1622280A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 柳明官;李镐年;朴宰徹;金亿洙;孙暻锡;李俊昊;权世烈 | 申请（专利权）人： | 京东方显示器科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种在玻璃基板或塑料基板等非晶质基板上形成单晶Si膜的方法。其是在液晶显示装置制造时把在非晶质基板上形成的非晶质硅膜通过热源的照射而结晶的非晶质硅膜的结晶方法。其对像素部的TFT形成区域和外部电路部的TFT形成区域的非晶质硅膜部分选择地进行热源的第一次和第二次照射制成多晶体后，对所述多晶内的晶粒中的任何一个进行热源的第三次照射以所需的位置和大小制成单晶区域。本发明因为不必使非晶质硅膜的全部区域结晶，而仅将必要的部分通过单晶硅膜结晶，所以在提高像素部和外部电路部用的TFT特性的同时可确保均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶质硅膜 结晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非晶质硅膜的结晶方法，其在液晶显示装置制造时把在非晶质基板上形成的非晶质硅膜通过热源照射结晶的方法，其特征在于，把像素部的TFT形成区域和外部电路部的TFT形成区域的非晶质硅膜部分选择地进行热源的第一次和第二次照射制成多晶体后，把所述多晶体内的晶粒中任何一个进行热源的第三次照射以所需的位置和大小制成单晶区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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