[发明专利]半导体器件的接触结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200410057912.9 | 申请日： | 2004-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1604315A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 金俊永;崔秉龙;李银京 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L29/78;H01L27/04;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体接触结构，包括：一衬底；具有与衬底相反极性的一导电掺杂层，该导电掺杂层形成在衬底中；形成在导电掺杂层上的一导电层；以及形成在衬底中导电掺杂层下方的一绝缘掺杂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 接触 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体的接触结构，包括：一衬底；具有与该衬底相反极性的一导电掺杂层，该导电掺杂层形成在衬底中；形成在所述导电掺杂层上的一导电层；及形成在所述衬底中所述导电掺杂层下方的一绝缘掺杂层。
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