[发明专利]用于平面显示装置的薄膜晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200410057924.1 | 申请日： | 2004-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1588644A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 黄维邦;李纯怀;陈韵升 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种在具有一驱动电路区及一像素区的基板上形成不同电特性薄膜晶体管的方法。在基板的驱动电路区及像素区上方分别形成第一及第二多晶硅图案层。在第一多晶硅图案层上方覆盖一掩模层，并利用其作为注入掩模来对第二多晶硅图案层进行一第一离子注入程序，使第一多晶硅图案层的杂质浓度不同于第二多晶硅图案层。在去除掩模层之后，分别在第一及第二多晶硅图案层上方依序形成一栅极介电层及一栅极电极，且在其中形成一源极/漏极区并定义出一通道区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平面 显示装置 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于平面显示装置的薄膜晶体管结构，包括：一基板，其具有一驱动电路区及一像素区；至少一第一薄膜晶体管，设置于该基板的该驱动电路区上，其包括一第一栅极电极、一第一源极/漏极区、及一第一通道区；以及至少一第二薄膜晶体管，设置于该基板的该像素区上，其包括一第二栅极电极、一第二源极/漏极区、及一第二通道区；其中该第一及该第二薄膜晶体管的电性相同，而该第一通道区的杂质浓度不同于该第二通道区。
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