[发明专利]集成电路及其制造方法有效
申请号: | 200410058065.8 | 申请日: | 2004-08-11 |
公开(公告)号: | CN1773707A | 公开(公告)日: | 2006-05-17 |
发明(设计)人: | 林俊杰;李文钦;杨育佳;胡正明;陈尚志;杨富量;王志豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L27/105;H01L21/8234;H01L21/28;H01L21/336 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种集成电路及其制造方法,该集成电路的不同芯片区具有不同的闸介电质。该集成电路包括基底、第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管在第一闸极和基底之间具有第一闸介电质,该第一闸介电质包括第一高介电常数材料和/或第二高介电常数材料,具有第一等效氧化硅厚度;第二晶体管在第二闸极和基底之间具有第二闸介电质,该第二闸介电质包括第一高介电常数材料和/或第二高介电常数材料,具有第二等效氧化硅厚度,且该第二等效氧化硅厚度可以与第一等效氧化硅厚度不同。本发明提供的集成电路能在有效解决闸极漏电流问题的同时维持较好的开关速度。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,其特征在于该集成电路包括:一个基底;第一晶体管,其第一闸极电极和所述基底之间具有第一闸介电质,该第一闸介电质包括第一高介电常数材料,具有第一等效氧化硅厚度;以及第二晶体管,其第二闸极电极和所述基底之间具有第二闸介电质,该第二闸介电质包括第一高介电常数材料,具有第二等效氧化硅厚度,且该第二等效氧化硅厚度不同于所述第一等效氧化硅厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410058065.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:投影机
- 下一篇:低电感等离子室的设备及其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的