[发明专利]浸没式光刻系统和制造半导体元件的方法

摘要

本发明提供一种浸没式光刻系统、对上表面覆有感光材料层的半导体结构的照光方法，以及制造半导体元件的方法。该光刻系统由一个光学表面，一层与光学表面的一部分接触的浸没流体，以及一个上表面具有感光材料层的半导体结构组成。其中，感光材料层的厚度不大于5000，且其部分表面与浸没流体接触。对半导体结构的照光方法包括以下步骤：首先在光学元件和感光材料层之间注入浸没流体，然后使光线直接穿过浸没流体照射到感光材料层上，其中该光线的波长以小于450纳米为佳。本发明在提高光刻系统分辨率的同时，避免了浸没流体分解感光材料，限制了感光材料层的膨胀量，因而提高了后续制造过程的准确度和成品率。

主权项

1.一种浸没式光刻系统，其特征在于该浸没式光刻系统包含：一个波长小于或等于193纳米的影像光源；一个具有一光学表面的光学部件，该光学部件配置于所述影像光源的下面，使得从影像光源发出的光照射并穿越该光学部件；一个半导体元件基板，其中该半导体元件基板的上表面具有一层感光材料层，该感光材料层的厚度不大于5000，穿越所述光学部件的光照射到该半导体元件基板上；以及一层浸没流体配置于所述感光材料层和光学表面之间，其中该浸没流体分别与感光材料层的上表面和光学表面的下表面接触。