[发明专利]磁场诱导生长磁性一维纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 200410058085.5 | 申请日： | 2004-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1587025A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 田丰;朱静 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁场诱导生长磁性一维纳米线阵列的制备方法，属于磁性一维纳米线阵列的制备技术领域，本发明包括制备具有均匀分布的通孔的模板和直流电沉积两个过程，电沉积过程包括：在电镀槽外部设置匀强磁场；在模板一面溅射上一层金属作电极，将带电极的模板作为阴极，待镀金属或石墨或铂作阳极，放入所述镀槽中，该镀槽中含待镀金属盐溶液作为电镀液；将外加磁场升至设定值，稳定后，并调节至设定的方向、角度后保持稳定；在所述阴、阳电极间加上设定的电压，控制电路中电流在一恒定值进行电沉积，根据所需纳米线长短设定沉积的时间，得到生长在模板孔中的纳米线阵列。这种方法能大幅提高纳米线阵列沿线轴方向的剩磁比和矫顽力，同时可兼顾材料生长过程的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 诱导 生长 磁性 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁场诱导生长磁性一维纳米线阵列的制备方法，包括制备具有均匀分布通孔的模板和直流电沉积两个过程，其特征在于，所述电沉积过程包括以下步骤：1)在电镀槽外部设置匀强磁场；2)在模板一面溅射上一层金属作电极，将带电极的模板作为阴极，待镀金属或石墨或铂作阳极，放入所述镀槽中，该镀槽中含待镀金属盐溶液作为电镀液；3)将外加磁场升至设定值，稳定，并调节至设定的方向、角度；4)在所述阴、阳电极间加上设定的电压，控制电路中电流在一恒定值进行电沉积，根据所需纳米线长短设定沉积的时间，得到生长在模板孔中的纳米线阵列。
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