[发明专利]驱动非挥发性动态随机存取存储器的装置以及方法无效
申请号: | 200410058544.X | 申请日: | 2004-08-18 |
公开(公告)号: | CN1585033A | 公开(公告)日: | 2005-02-23 |
发明(设计)人: | 安进弘;洪祥熏;朴荣俊;李相敦;金一旭;裵基铉 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C14/00 | 分类号: | G11C14/00;G11C11/404 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种包括在非挥发性动态随机存取存储器(NVDRAM)中的单位单元,包括:连接到字线的控制栅极层;用于存储数据的电容器;用于将电容器中的存储数据传输到位线的浮动晶体管,该浮动晶体管的栅极为单层且作为临时的数据存储点;及位于控制栅极层和浮动晶体管的栅极之间的第一绝缘层,其中供应到浮动晶体管的本体的电压是可控制的。 | ||
搜索关键词: | 驱动 挥发性 动态 随机存取存储器 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种包括在非挥发性动态随机存取存储器(NVDRAM)中的单位单元,包括:连接到字线的控制栅极层;用于存储数据的电容器;用于将电容器中的存储数据传输到位线的浮动晶体管,该浮动晶体管的栅极为单层且作为临时的数据存储点;及位于控制栅极层和浮动晶体管的栅极之间的第一绝缘层,其中供应到浮动晶体管的本体的电压是可控制的。
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