[发明专利]磁电阻元件、磁头和磁记录/再现装置有效

专利信息
申请号: 200410058625.X 申请日: 2004-07-23
公开(公告)号: CN1577495A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: 福泽英明;汤浅裕美;桥本进;岩崎仁志 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种磁电阻元件,具有彼此分离的第一磁性层和第二磁性层,第一磁性层和第二磁性层分别具有方向基本上被钉扎的磁化,和与第一磁性层和第二磁性层接触形成并电连接第一和第二磁性层的非磁性导电层,该非磁性导电层形成从一磁性层至另一磁性层的自旋极化电子的路径,非磁性导电层包含位于第一磁性层和第二磁性层之间的部分,该部分为感应区。
搜索关键词: 磁电 元件 磁头 记录 再现 装置
【主权项】:
1.一种磁电阻元件,该元件包括:彼此分离的第一磁性层和第二磁性层,第一磁性层和第二磁性层各具有方向基本上被钉扎的磁化;和与第一磁性层和第二磁性层接触形成并电连接第一和第二磁性层的非磁性导电层,该非磁性导电层形成从一磁性层至另一磁性层的自旋极化电子的路径,非磁性导电层包含位于第一磁性层和第二磁性层之间的部分,该部分为感应区。
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