[发明专利]绝缘层上覆硅（SOI）组件的联机结构有效
| 申请号： | 200410058645.7 | 申请日： | 2004-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1677681A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/768;H01L21/84 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体接触窗联机结构及其形成的方法，此联机结构具有一绝缘衬底；一第一半导体组件，形成于该绝缘衬底上；一非导电性栅极内联机层，形成于该绝缘衬底上，该非导电性栅极内联机层连接第二半导体组件的栅极；以及一硅化物层，形成于该栅极内联机层以及该第一半导体组件的有源区上，借此形成连接。通过本发明的方法所生产的电路具有较低的接触窗数目、复杂度与尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 层上覆硅 soi 组件 联机 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体接触窗连接线结构，包含：一绝缘衬底；一第一半导体组件，形成于该绝缘衬底上；一非导电性栅极内联机层，形成于该绝缘衬底上，该非导电性栅极内联机层连接第二半导体组件的栅极；以及一硅化物层，形成于该栅极内联机层以及该第一半导体组件的有源区上，借此以形成连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410058645.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：开关电源控制用半导体器件
- 下一篇：自动取样器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
