[发明专利]磁电阻效应膜，磁电阻效应磁头和固态存储器无效
| 申请号： | 200410058665.4 | 申请日： | 2004-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1591580A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 野间贤二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明所提供的磁电阻效应膜在不采用反铁磁层的条件下能够实现足够的功能。该膜包括：籽晶层；第一钉扎磁性层，形成在籽晶层上；反铁磁耦合层，形成在第一钉扎磁性层上；第二钉扎磁性层，形成在反铁磁耦合层上；非磁性层，形成在第二钉扎磁性层上；自由磁性层，形成在非磁性层上；和保护层，形成在自由磁性层上。籽晶层固定第一和第二钉扎磁性层的磁化方向。籽晶层由不与第一钉扎磁性层交换耦合的材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 效应 磁头 固态 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁电阻效应膜，包括：籽晶层；第一钉扎磁性层，形成在所述籽晶层上；反铁磁耦合层，形成在所述第一钉扎磁性层上；第二钉扎磁性层，形成在所述反铁磁耦合层上；非磁性层，形成在所述第二钉扎磁性层上；自由磁性层，形成在所述非磁性层上；和保护层，形成在所述自由磁性层上，其中，所述籽晶层作为钉扎层，其固定所述第一钉扎磁性层和所述第二钉扎磁性层的磁化方向，且所述籽晶层由不与所述第一钉扎磁性层交换耦合的材料制成。
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