[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410058669.2 | 申请日： | 2004-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1638017A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 山口裕功;尾形洁;田村太久夫;后藤顺;斋藤雅和;武田一男 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种显示装置及其制造方法。测量形成于基板上的非晶质硅膜的平均膜厚，将激光照射到该非晶质硅膜，然后，测定由该照射进行了晶体化的多晶硅膜的粒径分布，根据多晶硅膜的2个点A、B的粒径的测定值，计算出适当的激光照射能量密度值，然后，测量下一非晶质硅膜的平均膜厚，根据该平均膜厚与1个前的非晶质硅膜的平均膜厚计算出照射的能量密度值，将该能量密度值反馈到激光照射系。如上述那样，通过对应于形成在基板上的硅膜的膜厚控制此时应照射的激光照射能量，从而可在大型基板上沿基板整个面形成均匀的大粒径的多晶硅，结果，可在大面积形成多晶硅TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置的制造方法，具有：将光照射到形成于基板上的前驱体膜形成多晶膜的工序、测定上述多晶膜的面内粒径分布的工序、及调整上述光照射的能量密度的工序；其特征在于：根据上述面内粒径分布测定结果判定上述能量密度是适当还是过剩或不足，根据该判定结果调整上述能量密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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