[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底的制造方法

摘要

一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的TFT阵列衬底的液晶显示装置用TFT阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成TFT的工序。

主权项

1.一种液晶显示装置用薄膜晶体管阵列衬底的制造方法，所述液晶显示装置用晶体管阵列衬底把具有与薄膜晶体管电连接的象素电极的显示象素在第1绝缘衬底上形成阵列形状，并且在把线顺序扫描选择各上述薄膜晶体管的栅极配线和给予写入象素电极的信号电位的源极配线以正交状态形成为矩阵形状的TFT阵列衬底，和由第2绝缘衬底上形成彩色滤光器以及共用电极构成的相对衬底之间夹着液晶层，粘合上述TFT阵列衬底和相对衬底，并且在上述TFT阵列衬底的外侧和上述相对衬底的外侧上分别设置偏光板，所述制造方法的特征在于至少包含以下步骤：(A)在上述第1绝缘衬底上形成第1金属薄膜，之后，用第1次的照相制版以及蚀刻图案使上述第1金属薄膜形成图形，从而形成上述栅极配线以及上述薄膜晶体管的栅极电极；(B)形成栅极绝缘膜、半导体膜和欧姆接触膜，之后，通过第2次照相制版以及蚀刻把上述半导体膜和上述欧姆接触膜，用干法蚀刻图案形成为比形成上述源极配线以及上述薄膜晶体管的部分大、并且连续的形状；(C)形成第2金属膜，之后用第3次照相制版以及蚀刻图案使上述第2金属膜形成图形，从而形成上述源极配线以及上述薄膜晶体管的源极电极以及漏极电极，进而，通过干法蚀刻蚀刻除去从上述源极配线、上述源极电极以及上述漏极电极中溢出部分的上述欧姆接触膜；(D)形成层间绝缘膜，之后，用第4次照相制版以及蚀刻图案使上述层间绝缘膜以及上述栅极绝缘膜形成图形，从而形成至少贯通至上述漏极电极表面的象素接触孔和贯通至上述第1金属薄膜表面的第1接触孔和贯通至上述第2金属薄膜表面的第2接触孔的工序；以及(E)形成透明导电膜，之后，用第5次照相制版以及蚀刻图案使上述透明导电膜形成图形，从而形成象素电极，其中，上述第2金属薄膜由把钼作为主要成分的合金组成。