[发明专利]具有浅沟槽隔离的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410058732.2 | 申请日： | 2004-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1665016A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 井上健刚;大田裕之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762;H01L21/31 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 经志强;臧建明 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括步骤：(a)在半导体衬底的表面上形成用于化学机械抛光的停止层；(b)在停止层和半导体衬底中形成元件隔离沟槽；(c)淀积氮化物膜，覆盖沟槽的内表面；(d)通过高密度等离子体CVD淀积第一氧化物膜，该第一氧化物膜至少埋置淀积有氮化物膜的沟槽下部；(e)用稀释的氢氟酸清洗在沟槽侧壁上的第一氧化物膜；(f)清洗之后通过高密度等离子体CVD淀积第二氧化物膜，该第二氧化物膜埋置沟槽；和(g)通过化学机械抛光去除在停止层上的氧化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 隔离 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：(a)在一半导体衬底的表面上形成用于化学机械抛光的一停止层；(b)在所述停止层和所述半导体衬底中形成一元件隔离沟槽；(c)淀积一氮化物膜，覆盖所述沟槽的内表面；(d)通过高密度等离子体CVD淀积一第一氧化物膜，所述第一氧化物膜至少埋置淀积有所述氮化物膜的所述沟槽下部；(e)用氢氟酸清洗所述沟槽侧壁上的所述第一氧化物膜；(f)所述清洗之后，通过CVD淀积一第二氧化物膜，所述第二氧化物膜埋置所述沟槽；和(g)通过化学机械抛光去除在所述停止层上的所述氧化物膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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